韩媒The Elect报导，消息人士说，上述的支出金额显示三星可能已经生产这类第三代半导体的原型。
碳化硅与氮化镓比硅更耐用、能源效率更高，因此被用于最新电源管理IC。 碳化硅因为其耐用度，获得汽车产业爱用; 氮化镓则因切换速度快，获得更多无线通讯应用。
三星今年稍早成立功率半导体任务团队，做为生产碳化硅与氮化镓芯片的第一步。 除了三星的芯片事业员工外，来自LED团队和三星先进技术研究院(SAIT)的员工也参与了该任务团队。 LED事业人员也参与的原因是，制造LED的晶圆已使用氮化镓与其他氮化物材料。
三星计划用8寸晶圆生产碳化硅与氮化镓晶片，跳过多数功率半导体业者着手的入门级6吋晶圆。
MicroLED也是用8寸晶圆来制造。 三星先进技术研究院已经拥有氮化镓相关技术。
三星采用8寸来切入功率半导体生产是值得注意的，因为多数碳化硅芯片是利用4吋晶圆和6吋晶圆制造，至于在氮化镓方面，8寸晶圆日益变得主流。
三星发言人表示，他们与碳化硅芯片相关的业务仍在研议阶段，尚未正式决定。
