Wccftech 报导指出，用于GeForce RTX 50系列的Blackwell架构GPU仍然是单芯片设计，而应用在数据中心服务器的产品则采用多芯片的MCM封装，这显示了英伟达对于AMD的小芯片策略似乎并不担心。 其中，在消费性产品上延续单芯片设计，最大优势是时间可控及低风险，可以掌握产品时间。
目前英伟达 Hopper 架构和 Ada Lovelace 架构的 GPU，都是采用了台积电的 4 纳米制程生产，而下一代 Blackwell 架构 GPU 预计将延续与台积电的合作，并采用更先进的 3 纳米制造打造。 因此，有相关人士透露，因为台积电的3纳米制程技术成本比起5纳米系列的4纳米制程技术要高出25%，这有可能导致下一代GPU涨价。
报道指出，英伟达预计对Blackwell架构进行较大规模的修改，虽然不是全新的设计，但多流处理器(SM)和绘图处理单元(CUDA)将会有一个新的结构，这使得包括光线追踪等功能也会得到进一步优化和加强。 光线追踪运算核心 RT 单元有可能被 PT 单元所取代，以达到对 Ada Lovelace 架构性能翻倍的目的。 另外，Blackwell 架构 GPU 很可能会支持 GDDR7 显示内存，相较之前的 GDDR6X 显示内存将有更高的效率。
最后，GeForce RTX 50系列预计将会采用PCIe 5.0接口，GPU核心运算时脉将达到3GHz或以上。 基于GB102的RTX 5090将拥有144组SM，即18432个CUDA核心，L2暂存为96MB，搭配GDDR7显示内存，并采用PCIe 5.0 x16接口。 不过，这些预期，届时都还必须等实体产品亮相后才能进一步进行确认。
